納米技術(shù)對現(xiàn)代科技的推動顯示出了巨大的成效。在半導體制造領(lǐng)域內(nèi)，納米技術(shù)使得摩爾定律得以延續(xù)。HP實驗室量子研究所負責人斯坦利指出，“納米技術(shù)具有長期的潛力，即使把微電子、塑料和鋼鐵加在一起，納米技術(shù)也能讓它們相形見絀”。

在納米技術(shù)領(lǐng)域，納米CMOS器件、碳納米管、納米晶體LED、納米草、納米開關(guān)、納米超導晶體管、納米硅膠等納米器件、納米材料先后被日本、 美國、歐盟等研究機構(gòu)開發(fā)出來。基于納米技術(shù)的各種產(chǎn)品逐漸在市場上亮相。

      隨著納米器件的出現(xiàn)，微電子封裝逐漸走向納電子封裝。美國喬治亞封裝研究中心的Tummala教授明確提出微系統(tǒng)封裝已經(jīng)從毫米級、微米級走到納米級。隨著微系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展，高互聯(lián)密度的需求大大增加，新型納米材料將在微系統(tǒng)集成領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些納米材料主要解決微型器件的饋電和射頻互聯(lián)，如圖1所示的納米銅 。

2.納米銀性能簡介

微系統(tǒng)的性能、集成工藝、應用及發(fā)展等決定于構(gòu)成微系統(tǒng)的各類材料，這類材料包括半導體材料、封裝基板材料、絕緣材料、導體材料、鍵合連接材料、封裝材料等。運用納米科技對微系統(tǒng)產(chǎn)品所用的材料進行改進，無疑會改善微系統(tǒng)的性能。微系統(tǒng)集成技術(shù)的進步與微系統(tǒng)封裝材料的發(fā)展是緊密相關(guān)的。

材料科學實驗證明，當材料顆粒達到納米級時，其具有很高的表面活性和表面能，這使得納米顆粒的熔點或者說燒結(jié)溫度遠低于塊體材料。但其燒結(jié)后形成的材料具有和塊體材料相似的熔點和性能。這就使其在微系統(tǒng)集成領(lǐng)域具有很廣闊的應用前景。

因金屬銀具有很高的熱導率、良好的導電性、抗腐蝕性及抗蠕變性能，且在服役過程中不存在固態(tài)老化現(xiàn)象。特別適合作為大功率產(chǎn)品的組裝材料。使得在眾多的納米材料中，納米銀成為研究比較熱門的封裝材料。

納米銀的主要特性之一就是低溫燒結(jié)，高溫服役。其燒結(jié)溫度可低至150℃，甚至室溫，再次熔化溫度理論上可達到960℃。這種特性對于復雜微系統(tǒng)產(chǎn)品集成具有明顯優(yōu)勢，特別是在多級組裝時，不再受溫度梯度的影響。可以說對微系統(tǒng)產(chǎn)品的集成工藝發(fā)展具有跨時代的意義。

3.納米銀在三維集成領(lǐng)域研究進展

從上個世紀80年代開始，納米銀已經(jīng)被諸多學者及機構(gòu)研究。在電子封裝領(lǐng)域，納米銀的應用研究稍晚。

SEMIKRON公司采用納米銀燒結(jié)技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的Bongding技術(shù)制作出了IGBT模塊。使用納米銀漿燒結(jié)技術(shù)后，不但組件的散熱問題，同時使組件的可裝性和可靠性大幅度提高。

在電子封裝領(lǐng)域，納米銀漿較先被應用在大功率封裝領(lǐng)域。Guo-Quan Lu等人采用30nm-50nm的納米銀漿在275℃無壓狀態(tài)下獲得了良好的燒結(jié)接頭。接頭的致密度可達80%，剪切強度達到20MPa。燒結(jié)層的熱傳導率是普通共晶焊料的5 倍以上，這種由納米Ag 燒結(jié)層構(gòu)成互連層的芯片基板互連技術(shù)是一種潛在的適合寬禁帶半導體器件(SiC或GaN)的技術(shù)。此外接頭還可承受300℃下，400小時的溫度存儲試驗。

日本バソド化學公司2003年開發(fā)成功一種納米銀漿(粒徑數(shù)10nm)，這種銀漿適用于樹脂系印刷電路板，可低溫燒成并保持低的電阻率，作為印刷電路板的微細電路構(gòu)成將獲得實際應用。銀的熔點為961℃，而這種銀漿的熔點僅有100~150℃，可以用于各式各樣的印刷電路板貼裝。

     善仁新材較新研發(fā)的納米銀漿，可以用于各種精細線路的制作，大功率器件的封裝，SIP封裝等領(lǐng)域。

Bai John G等人將含30 nm 納米銀粉的焊膏加熱到280℃，其密度可以達到全密度的80%。該燒結(jié)的多孔銀粉焊膏的熱傳導率240W/(K·m)，電導率約為3.8×105S/cm，彈性模量為約9 GPa，拉伸強度為43 MPa。這種材料的物理性能遠遠優(yōu)于普通釬料合金材料的性能，更適合應用于高可靠性領(lǐng)域。

Daisuke Wakuda, Keun-Soo Kim等人通過化學方法制備出納米銀，其平均直徑不到10nm如圖8所示。然后在其中加入少量烷基胺制備出納米銀漿。這種納米銀漿可在室溫下燒結(jié)，燒結(jié)時間在30min內(nèi)，提高燒結(jié)溫度可加速燒結(jié)過程并進一步降低接頭的電阻率。23℃燒結(jié)接頭的電阻率低至4.9×10-6Ωm，150℃燒結(jié)接頭(圖9所示)的電阻率可低至3.2×10-7Ωm。接頭的剪切強度可達8MPa。美中不足的是接頭在燒結(jié)時需要大約1MPa的壓力。在一定程度上限制了其應用邊界。